900V 12A場效應管6390A型號參數:ID(A):12A;BVdss(V):900V;RDS (on) =...900V 12A場效應管6390A型號參數:ID(A):12A;BVdss(V):900V;RDS (on) = 0.75mΩ(typ)@VGS =10V。KNX6390A采用高級平面工藝,具有低電荷,低反向傳輸電容,...
900V高壓MOS管4590A型號參數:ID(A):6A;BVdss(V):900V;RDS (on) = 1.6...900V高壓MOS管4590A型號參數:ID(A):6A;BVdss(V):900V;RDS (on) = 1.6mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷,低反向傳輸電容,開關速度快等優點。封裝形式:TO-...
MOS場效應管6180參數:Vgs(±V):30;VTH(V):2-4;ID(A):10A;BVdss(...MOS場效應管6180參數:Vgs(±V):30;VTH(V):2-4;ID(A):10A;BVdss(V):800V;RDS (on) = 0.72mΩ(typ)@V GS =10V。具有低電荷,低反向傳輸電容,開關...
KIA24N50功率MOSFET采用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產。這款24A、500V低電流、...KIA24N50功率MOSFET采用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產。這款24A、500V低電流、高電壓的MOS管是能夠匹配:2SK2837、25N50兩款型號,能夠完美代換使用。
KIA20N50具有500V高耐壓,20A漏極直流電流,低反向傳輸電容開關速度快,內阻低...KIA20N50具有500V高耐壓,20A漏極直流電流,低反向傳輸電容開關速度快,內阻低,耐沖擊特性好等特點;在使用性能參數方面能夠匹配型號為IRFP460的國外場效應管,也...
KIA半導體這款18N50H是N溝道增強型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設計,廣泛應用...KIA半導體這款18N50H是N溝道增強型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設計,廣泛應用于開關電源、DC-AC電源轉換器,DC-DC電源轉換器,紫外線燈電子鎮流器等產品中。