KIA65R190這種功率MOSFET是使用KIA半導體Semi先進的超級結技術生產的。這項先進...KIA65R190這種功率MOSFET是使用KIA半導體Semi先進的超級結技術生產的。這項先進的技術經過專門定制,可最大限度地減少傳導損耗,提供卓越的開關性能,并在雪崩和換...
漏源電壓:600V 柵源電壓:±30A 漏電流連續:12A 脈沖漏極電流:48A漏源電壓:600V 柵源電壓:±30A 漏電流連續:12A 脈沖漏極電流:48A
10n65場效應管是針對儲能電源,有更耐沖擊,同等參數雪崩更高的MOSFET。10n65場效應管是針對儲能電源,有更耐沖擊,同等參數雪崩更高的MOSFET。
在社會的飛速發展中,便攜式儲能電源的需求自然激增,因此廠家一定要重視產品對...在社會的飛速發展中,便攜式儲能電源的需求自然激增,因此廠家一定要重視產品對MOS管的使用。10n60針對儲能電源應用,具有更耐沖擊、同等參數雪崩更高的特性,提高...
KIA10N120V參數: ID(A): 10 BVDSS(V): 1200 RDS(ON): - Qg(nC): - ...KIA10N120V參數: ID(A): 10 BVDSS(V): 1200 RDS(ON): - Qg(nC): - Package: TO-220、TO-220F、TO-247、TO-3P
KNX4760A 8A 600V-應用領域 適配器充電器 SMPS電源 液晶面板電源KNX4760A 8A 600V-應用領域 適配器充電器 SMPS電源 液晶面板電源